Elementy czynne.html
Schematy
1. Półprzewodniki, wyprowadzenia ogólnie, kanały
1a obszar polprzewodnika z 1 wyprowadzeniem; linia pozioma oznacza obszar polprzewodnika, linia pionowa - wyprowadzenie
1b1,b2, b3 obszar półprzewodnika z 2 wyprowadzeniami - przyklady
2
2a kanał przewodz±cy przyrz±du polprzewodnikowego typu zubożonego
2b kanał przewodz±cy przyrz±du polprzewodnikowego typu wzbogaconego
3. Diody, złącza, bramki
3a złacze prostuj±ce (dioda pólprzewodn., ogniwo selenowe, miedziowe itp.)
3b zlacze prostuj±ce (forma niezalecana)
3c bramka izolowana
4. Tranzystory kanały półprzewodnika
4a zlacze wpływajace na obszar półprzewodnika przez oddziaływanie pola elektrycznego; obszar typu P
4b zlacze wpływajace na obszar półprzewodnika przez oddziaływanie pola elektrycznego; obszar typu N
4c kanał typu N na podłożu typu P
4d kanał typu P na podłożu typu N
5
5a1 emiter na obszarze o odmiennym typie przewodnictwa emiter P na obszarze typu N (tranzystor NPN)
5a2 kilka emiterów P na obszarze N
5b1 emiter na obszarze o odmiennym typie przewodnictwa emiter N na obszarze typu P
5b2 kilka emiterów N na obszarze P
6
6a1 kolektor na obszarze o odmiennyn typie przewodnictwa
6a2 kilka kolektorów na obszarze o odmiennym typie przewodnictwa
7. obszary w tranzystorach złączowych i polowych
7a przej¶cie miedzy obszarami o rożnym typie przewodnictwa - przej¶cie jest oznaczone miejscem przecięcia się odcinka prostego z linia uko¶n±
7b1 obszar samoistny oddzielaj±cy obszary o różnym typie przewodnictwa, tworz±cy strukture PIN lup NIP
7b2 obszar samoistny oddzielaj±cy obszary o tym samym typie przewodnictwa, tworz±cy strukture NIN lup PIP
7c1 obszar samoistny między kolektorem a obszarem o odmiennym typie przewodnictwa worz±cy srukture typu PIN lub NIP
7c2 obszar samoistny między kolektorem a obszarem o tym samym typie przewodnictwa worz±cy srukture typu PIP lub NIN
8. Diody i inne
8a zjawisko Schottky'ego
8b zjawisko tunelowe
8c zjawisko lawinowe jednokierunkowe
8d zjawisko lawinowe obukierunkowe
8e zjawisko wsteczne jednotunelowe
9
9a1 dioda symbol ogólny
9a2 dioda symbol ogólny - na schemacie zaznaczony symbol obudowy (można pomin±ć)
9b dioda elektroluminescencyjna (¶wiecaca , LED)
10. Diody innego typu
10a dioda o zalezno¶ci temperaturowej (oznaczenie grecka litera duże Theta, albo t ze znakiem stopnia)
10b dioda o pojemno¶ci zmiennej (warikap, waraktor)
10c dioda tunelowa, dioda Esaki
10d dioda lawinowa jednokierunkowa, dioda stabilizuj±ca, dioda Zenera
10e dioda lawinowa obukierunkowa
10f dioda wsteczna (jednotunelowa)
10g dioda obukierunkowa symetryczna (diak)
11. Tyrystory
11a tyrystor diodowy blokuj±cy wstecznie
11b tyrystor diodowy blokujacy wstecznie
11c tyrystor diodowy obukierunkowy (symetryczny)
11d tyrystor triodowy blokuj±cy wstecznie, bez okreslenia typu bramki
11e tyrystor triodowy blokuj±cy wstecznie z bramka N
11f tyrystor triodowy blokuj±cy wstecznie z bramk± P
11g tyrystor triodowy odłaczalny bez okreslenia typu bramki
11h tyrystor triodowy odl±czalny z bramk± N (od strony anody)
11i tyrystor triodowy odl±czalny z bramk± P (od strony anody)
11j tyrystor tetrodowy blokuj±cy wstecznie
11k tyrystor triodowy obukierunkowy, symetryczny; triak
11l tyrystor triodowy, przewodzacy wstecznie bez okre¶lenia typu bramki
11m tyrystor triodowy, przewodzacy wstecznie z bramk± N
11n tyrystor triodowy, przewodzacy wstecznie z bramk± P
12. Tranzystory NPN PNP PNIP...
12a tranzystor typu PNP, tranzystor bipolarny, wersja symbolu bez obudowy
12b jw symbol z obudow±, symbol można pomin±ć, na rysunku zaznaczono dodatkowo styk obudowy z kolektorem tranzystora
12c tranzystor bipolarny lawinowy NPN
12d tranzystor jednozl±czowy z bramka typu z baza typu P; dioda podwójna
12e tranzystor jednozl±czowy z bramka typu z baza typu N; dioda podwójna
12f tranzystor NPN o poprzecznej polaryzacjibazy typu P
12g tranzystor PNIP z wyprowadzeniem z obszaru samoistnego
12h tranzystor PNIN z wyprowadzeniem z obszaru samoistnego
13. JFET, IGFET, Złączowe polowe i inne
13a tranzystor polowy zł±czowy, zwany JFET, z kanałem typu N, strzałka może byc po ¶rodku
13b tranzystor polowy zł±czowy, zwany JFET, z kanałem typu P, strzałka może byc po ¶rodku
13c tranzystor unipolarny z izolowan± bramk± IGFET, kanał typu P bez wyprowadzenia podłoża
13d tranzystor unipolarny z izolowan± bramk± IGFET, kanał typu N bez wyprowadzenia podłoża
13e tranzystor unipolarny z izolowan± bramk± IGFET, kanał typu P z wyprowadzeniem podłoża
13f tranzystor unipolarny z kanałem typu N z podłożem poł±czonym wewnętrznie ze Ľrodlem
13g IGFET - typu zubozonego z pojedyńcz± bramk± kanał typu P bez wyprowadzenia podloża
13h IGFET - typu zubozonego z pojedyńcz± bramk± kanał typu N bez wyprowadzenia podloża
14. Fotoelementy, fotoczujniki, foto-
14a fotorezystor - przyrz±d ¶wiatłoczuły bierny, przewodnictwo dwukierunkowe
14b fotodioda - przyrz±d ¶wiatłoczuły jednokierunkowy
14c fotoogniwo
14d fototranzystor
14e generator Halla, z 4 wyprowadzeniami - Hallotron
14f rezystor zalezny od warto¶ci natężenia pola magnetycznego
14g sprzęgacz magnetyczny, magnetoizolator
14h sprzęgacz optyczny, złożony z diody LED i fototranzystora (transoptor) - możliwe inne kombinacje (żarówka itp.)
15. Lampy elektronowe oznaczenia wnętrz
15a bańka gazowana lampy elektronowej
15b bańka z ekranem zewnetrznym
15c pokrycie przechodz±ce na powierzchni wewnętrznej bańki
15d termokatoda po¶rednio żarzona
15e termokatoda bezpo¶rednio żarzona
15f fotokatoda
15g katoda zimna (np. w NIXIE, lampy neonowe)
15h elektroda złożona - jako anoda ilub zimna katoda
15i anoda, kolektor, płytka (w lampach mikrofalowych)
15j anoda fluorescencyjna
15k siatka
15l bariera wstrzymujaca dyfuzje jonów
16. Elektrody specjalne w lampach
16a elektrody odchylania osiowego
16b elektroda modulacyjna
16c elektroda ogniskuj±ca z otworem, anoda wyrzutni elektronowej
16d elektroda rozszczepiaj±ca , sprzężona wewnętrznie z elektrod± wyrzutni elektkronowej
16e elektroda ogniskujaca cylindyczna; elektroda obszaru przelotowego;element soczewki elektronowej
16f elektroda ogniskuj±ca cylindryczna z siatk±
16g elektroda wielootworowa
16h elektroda kwantuj±ca
16i elektroda odchylania promieniowego
16j siatka o emisji wtórnej
16k anoda o emisji wtórnej, katoda wtórna, dynoda
16l elektroda fotoemisyjna
16m elektroda akumuluj±ca
16n elektroda akumuluj±ca fotoemisyjna
16o elektroda akumulacyjna o emisji wtórnej (kierunek wskazuje się strzałk±)
16p elektroda akumulacyjna fotoprzewodno¶ciowa
17. Inne rzeczy w lampach
17a wyrzutnia elektronowa z symbolem bańki
17b reflektor
17c podstawa otwartej linii opóĽniaj±cej bez emitowania elektronow
17d podstawa zamkniętej linii opoĽniaj±ćej bez emitowania elektronów
17e podstawa emituj±ca elektrony (strzałka pokazuje kierunek przepływu elektronów)
17f linia opoĽniaj±ca (strzałka pokazuje kierunek przepływu elektronów)
17g elektroda ogniskuj±ca , pojedyńcza umieszczona wzdłuż otwartej linii opoĽniaj±cej
17h linia opóxniaj±ca z zamknięta z bańk±
17i rezonator wewnętrzny
17j rezonator zewnętrzny
17k magnes trwały wytwarzaj±cy poprzeczne pole magnetyczne (magnetrony, lampy o polach skrzyzowanych)
17l cewka wytwarzaj±ca poprzeczne pole magnetyczne (magnetrony)
17m rezonator kwadropulowy
17n rezonator kwadropulowy z pętl±
17o sprzęgacz linii opóĽniaj±cej
17p helisa
18. Lampy RTG, spusty i inne
18a anoda lampy rentgenowskiej
18b elektroda spustowa
18c katoda ciekła (z symbolem bańki)
18d katoda ciekła odizolowana
19. Lampy specjalne oznaczenia
19a trioda z katoda bezpo¶rednio żarzon±
19b trioda z katoda po¶rednio żarzon±
19c pentoda z katod± posrednio żarzona, połaczona z siatka hamujac±
19d dwie lampy w jednej bańce (trioda-heksoda)ze wspólna katod± po¶rednio żarzon±
19e magiczne oko (wskaĽnik wysterowania)
19f lampa elektropromieniowa o odchylaniu elektromagnetycznym (lampa kineskopowa z zaznaczonymi elektrodami)
19g lampa elektropromieniowa o odchylaniu elektrostatycznym
20. Klistron
20a1 Klistron refleksowy
20a2 Klistron refleksowy - uproszczony
21. Gazowane lampy - NIXIE itp
21a lampa gazowana z zimn± katod± (jarzeniówka stabilizacyjna)
21b jarzeniówka stabilizacyjna wieloelektrodowa
21c lampa spustowa z podgrzewan± katoda
21d lampa gazowana gazowana z zimn± katod± symetryczn±, (wskaĽnik jarzeniowy - NIXIE)
21e wskaĽnik jarzeniowy alfanumeryczny o n katodach i anodzie w formie siatki sze¶ciok±tnej, nad symbolami katod można ukazać znaki wy¶wietlane
22. Ciekawostki
22a lampa rentgenowska
22b komora jonizacyjna z siatk±
22c ignitron
22d ekscytron sze¶cioanodowy
22e detektor
22f zwiernik N-O
23 . Kosmos
23a komora jonizacyjna
23b komora jonizacyjna z siatk±
23c komora jonizacyjna z pier¶cieniem ochronnym
23d komora jonizacyjna skompensowana
23e licznik połprzewodnikowy
23f detektor scyntylacyjny
23g detektor Czerenkowa
23h detektor termoluminescencyjny
23i puszka Faradaya
23j licznik promieniowania
23k licznik promieniowania z pierscieniem ochronnym
24
24a akumulator ładunku elektrycznego
24b dioda solionowa
24c tetroda solionowa
24d miernik przewodno¶ci cieczy
25 Doda kierunek pradu, oznaczenia i opis elektrod
26 tranzystor opis wyprowadzeń, bez oznaczenia emitera
27 trazystor polowy (JFET) wraz z opisem wyprowadzeń
28
28a fotorezystor symeryczny
28b fotorezystor niesymetryczny
28c dioda pojemno¶ciowa , warystor, waraktor
28d dioda wsteczna
28e diak, dioda obukieunkowa
28f moduł o kilku jednakowych diodach o wspolnej anodzie
28g moduł o kilku jednakowyhc diodach o wspólnej katodzie
29 (oznaczenia ANSICSA)
29a zaczerniony symbol diody
29b dioda Zenera, stabilizacyjna
29c dioda LED
29d diak, dioda obukierunkowa
29f tranzystor PNP
29g tranzystor NPN
30 element Peltiera